микроскопия медленных электронов (англ. low-­energy electron microscopy сокр., LEEM) — вид микроскопии, в которой для формирования изображения поверхности твердого тела используют упруго отраженные электроны низких энергий.

Описание

Микроскопия медленных электронов была изобретена Э. Бауэром (Ernst Bauer) в начале 1960-х гг. и стала достаточно широко использоваться в исследованиях поверхности, начиная с 1980-х гг. В микроскопе первичные электроны низких энергий (обычно до 100 эВ) попадают на исследуемую поверхность, а отраженные электроны используются для формирования фокусированного увеличенного изображения поверхности. Пространственное разрешение такого микроскопа составляет до десятков нанометров. Контраст изображения обусловлен вариацией отражательной способности поверхности по отношению к медленным электронам из-за различия в ориентации кристалла, поверхностной реконструкции, покрытия поверхности адсорбатом. Так как микроскопические изображения могут быть получены очень быстро, микроскопия медленных электронов часто используется для изучения динамических процессов на поверхности, таких, как рост тонких пленок, травление, адсорбция и фазовые переходы в реальном масштабе времени. В качестве примера на рис. показано микроскопическое изоб ражение поверхности Si(111) в ходе фазового перехода от реконструкции 7×7 к реконструкции 1×1, происходящего при температуре 860 оС.

Иллюстрации

Изображение в микроскопе медленных электронов фазового перехода от реконструкции 7×7 к реконстр
Изображение в микроскопе медленных электронов фазового перехода от реконструкции 7×7 к реконструкции 1×1 на поверхности Si(111). Фаза 7×7 (светлые участки) декорирует атомные ступени, тогда как поверхность террас в основном покрыта структурой 1×1 (темные участки). Размер поля изображения 5 мкм [2].

Авторы

  • Зотов Андрей Вадимович
  • Саранин Александр Александрович

Источники

  1. Оура К., Лифшиц В. Г., Саранин А. А. и др. Введение в физику поверхности / Под ред. В. И. Сергиенко. — М.: Наука, 2006. — 490 с.
  2. Tromp R.M. Low energy electron microscopy // IBM J. Res. and Develop. 2000. V. 44. P. 503–516.

Напишите нам