магнетосопротивление, туннельное иначе туннельное магнитосопротивление (англ. tunnel magnetoresistance сокр., TMR) — эффект изменения электрического сопротивления между двумя областями ферромагнетика, разделенными тонким слоем диэлектрика, вследствие туннельных переходов спин-поляризованных носителей под действием магнитного поля.

Описание

Эффект туннельного магнетосопротивления аналогичен гигантскому магнетосопротивлению, однако ферромагнитные области разделены не проводящими, а изолирующими прослойками. В этом случае транспорт носителей заряда через изолирующую прослойку обеспечивается исключительно квантовомеханическими эффектами. Примером системы, в которой реализуется эффект туннельного магнетосопротивления, может служить композит, представляющий собой ферромагнитные зерна в изолирующей матрице, или слоистая структура, в которой магнитные слои разделены тонкими слоями диэлектрика. В настоящее время на базе эффекта туннельного магнитного сопротивления создана магнеторезистивная оперативная память (MRAM). Эффект также применяется в считывающих головках накопителей на жестких дисках. Данный эффект — один из основных эффектов, который может быть практически реализован в устройствах спинтроники.

Иллюстрации

Пример структуры, в которой возникает эффект туннельного магнетосопротивления [2].
Пример структуры, в которой возникает эффект туннельного магнетосопротивления [2].

Автор

  • Зайцев Дмитрий Дмитриевич

Источники

  1. Горбенко О.Ю., Босак А. А. Магнетосопротивление манганитов в слабых магнитных полях и его применение // Сенсор. 2002. №2. С. 28–44.
  2. Баклицкая О. Нобелевские премии 2007 г. Гигантское магнетосопротивление — триумф фундаментальной науки // Наука и жизнь. 2007. №11. —www.nkj.ru/archive/articles/12042/ (дата обращения: 27.07.2010).

Напишите нам