фоторезист (англ. photoresist) — свето- или рентгеночувствительный материал на полимерной основе, используемый для нанесения пленочного покрытия на подложку в литографическом процессе путем его облучения (экспонирования) через маску с проекциями элементов электронной схемы и последующего проявления (травления в растворителе) так, что изображение схемы переносится на подложку.

Описание

В зависимости от характера изменения структуры и свойств в результате облучения, фоторезисты делят на негативные и позитивные. Если в результате облучения пленка полимеризуется и теряет растворимость, то обработка растворителем (проявление) ведет к удалению только необлученных участков, и на подложке возникает негативное изображение маски. Соответствующие фоторезисты называются негативными. Если после облучения фоторезист становится растворимым, то при облучении через маску и последующем проявлении удаляются облученные участки, и на подложке возникает позитивное изображение маски. Такие фоторезисты называют позитивными. Позитивные фоторезисты позволяют более точно передавать мелкие геометрические детали изображения по сравнению с негативными. Позитивные фоторезисты изготовляют из феноло- или крезолоформальдегидной смолы с о-нафтохинондиазидом, негативные - из поливинилового спирта с солями хромовых кислот или циклизованного каучука с добавками, вызывающими «сшивание» макромолекул при облучении.

Автор

  • Гусев Александр Иванович

Источник

  1. А. И. Гусев. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. Изд. 2-е, исправленное и дополненное. М.: Наука-Физматлит, 2007. 416 с.

Напишите нам