поверхностная релаксация (англ. surface relaxation) — модификация (перестройка) приповерхностного слоя кристалла, при которой атомная структура верхнего слоя остается той же, что и у соответствующих атомных плоскостей в объеме, но расстояние между первым и вторым слоем или их взаимное положение отличаются от таковых в объеме.

Описание

Релаксация подразделяется на нормальную и латеральную, называемую также параллельной или тангенциальной. Нормальная релаксация соответствует случаю, когда атомная структура верхнего слоя та же, что и в объеме, но расстояние между верхним и вторым слоем отличается от расстояния между плоскостями в объеме (рис. а). В чистом виде нормальная релаксация наблюдается в металлах. В большинстве случаев имеет место уменьшение первого межслоевого расстояния; для более глубоких слоев отклонение от объемного значения межслоевого расстояния уменьшается с глубиной, часто осцилляторно. Иногда также наблюдается однородное смещение верхнего слоя параллельно поверхности (рис. б); в этом случае говорят о параллельной или тангенциальной релаксации. Она наблюдается в основном на высокоиндексных плоскостях с низкой концентрацией атомов.

Иллюстрации

Схематическая иллюстрация нормальной (а) и латеральной (б) релаксаций верхнего атомного сл
Схематическая иллюстрация нормальной (а) и латеральной (б) релаксаций верхнего атомного слоя полубесконечного кристалла [1].

Авторы

  • Зотов Андрей Вадимович
  • Саранин Александр Александрович

Источник

  1. Оура К., Лифшиц В. Г., Саранин А. А. и др. Введение в физику поверхности / Под ред. В. И. Сергиенко. — М.: Наука, 2006. — 490 с.

Напишите нам