транзистор, биполярный иначе полупроводниковый триод (англ. bipolar junction transistor сокр., BJT) — трехэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. В биполярном (от слова «би» — два) транзисторе, в отличие от других его разновидностей, основными носителями являются и электроны, и дырки.

Описание

Электроды биполярного транзистора подключены к основной функциональной части транзистора — трем последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. Средний слой называется базой, один крайний слой называется эмиттером, другой — коллектором. По способу чередования слоев различают npn и pnp транзисторы (n — negative — электронный тип примесной проводимости, p — positive — дырочный). Важнейшим условием работы транзистора является малость толщины (менее микрометра) среднего слоя, области базы, и малость концентрации атомов примеси в ней. Применяются биполярные транзисторы, в основном, для усиления, генерации и преобразования непрерывных и импульсных электрических сигналов радиои СВЧ-диапазонов частот.

Авторы

  • Наймушина Дарья Анатольевна
  • Солдатов Евгений Сергеевич

Источник

  1. Bipolar junction transistor // Wikipedia, the free Encyclopedia. — http://en.wikipedia.org/wiki/Bipolar_junction_transistor (дата обращения: 24.07.2010).

Напишите нам