ионная имплантация иначе ионное внедрение; ионное легирование (англ. ion implantation) — введение примесных атомов в твердое тело путем его бомбардировки ускоренными ионами.

Описание

При ионной бомбардировке твердых тел, наряду с процессами распыления поверхности, ионно-ионной эмиссии, образования радиационных дефектов и др., происходит проникновение ионов вглубь бомбардируемого объекта (мишени). Наиболее широко ионная имплантация применяется для легирования полупроводников с целью создания p–n-переходов, гетеропереходов, низкоомных контактов. Ионную имплантацию в металлы применяют с целью повышения их твердости, износоустойчивости, коррозионной стойкости и т. д. Ионная бомбардировка высокотемпературных сверхпроводников семейства RBa2Cu3Ox может использоваться для создания высокоэффективных центров пиннинга и значительного увеличения плотности критического тока.

Иллюстрации

Модифицированный поверхностный слой.
Модифицированный поверхностный слой.

Автор

  • Наймушина Дарья Анатольевна

Источник

  1. Ионная имплантация // Физическая энциклопедия. Т. 2 / Гл. ред. А.М. Прохоров. — М.: Советская энциклопедия, 1990. С. 197–199.

Напишите нам