Маска является одним из важнейших элементов фотолитографической технологии микроэлектроники. Для того чтобы нанести рисунок схемы на пластину, с помощью управляемой компьютером машины (степпера) выполняется фотолитография. Целью ее является создание в слое материала фоторезиста «окна» заданной конфигурации для доступа травителя к расположенной под этим слоем пластине полупроводника с окисной пленкой. Такие «окна» образуются при экспонировании фоторезиста в потоке ультрафиолетового излучения лазера, в результате фоторезист теряет (или приобретает) растворимость. Конфигурацию «окон» задают соответствующие маски, после применения которых полученное изображение концентрируется с помощью специальной системы линз, которая уменьшает заданный на маске шаблон до требуемых размеров схемы. Кремниевая пластина закрепляется на позиционном столе под системой линз и перемещается с его помощью таким образом, чтобы были последовательно обработаны все размещенные на пластине микропроцессоры. Ультрафиолетовые лучи от лазера проходят через свободные пространства на маске. Под их действием светочувствительный слой в соответствующих местах пластины приобретает способность к растворению и затем удаляется органическими растворителями.