Описание
При ионной бомбардировке твердых тел, наряду с процессами распыления поверхности, ионно-ионной эмиссии, образования радиационных дефектов и др., происходит проникновение ионов вглубь бомбардируемого объекта (мишени). Наиболее широко ионная имплантация применяется для легирования полупроводников с целью создания p–n-переходов, гетеропереходов, низкоомных контактов. Ионную имплантацию в металлы применяют с целью повышения их твердости, износоустойчивости, коррозионной стойкости и т. д. Ионная бомбардировка высокотемпературных сверхпроводников семейства RBa2Cu3Ox может использоваться для создания высокоэффективных центров пиннинга и значительного увеличения плотности критического тока.
Иллюстрации
Автор
- Наймушина Дарья Анатольевна
Источник
- Ионная имплантация // Физическая энциклопедия. Т. 2 / Гл. ред. А.М. Прохоров. — М.: Советская энциклопедия, 1990. С. 197–199.