спектроскопия резерфордовского обратного рассеяния сокр., РОР иначе спектроскопия рассеяния быстрых ионов (англ. Rutherford backscattering spectroscopy сокр., RBS) — разновидность спектроскопии ионного рассеяния, основанная на анализе энергетических спектров ионов He+ или протонов с энергией ~1–3 МэВ, рассеянных в обратном направлении по отношению к исследуемому образцу.

Описание

Спектроскопия резерфордовского обратного рассеяния, как и спектроскопия ионного рассеяния, позволяет получать информацию о химическом составе и кристалличности образца как функции расстояния от поверхности образца (глубины), а также о структуре поверхности монокристаллического образца. Основной особенностью метода является использование высокоэнергетических ионов, проникающих глубоко внутрь твердого тела и рассеивающихся обратно от глубоко лежащего атома. Энергия, потерянная ионом в этом процессе, представляет собой сумму двух вкладов. Во-первых, это непрерывные потери энергии при движении иона вперед и назад в объеме твердого тела (так называемые потери на торможение). Скорость потери энергии на торможение (stopping power,  для большинства материалов хорошо известна, что позволяет перейти от шкалы энергий к шкале глубин. Во-вторых, это разовая потеря энергии в акте рассеяния, величина которой определяется массой рассеивающего атома. В качестве примера на рис. приведена схема формирования спектра от образца, представляющего собой тонкую пленку на подложке. Пленка толщиной d проявляет себя на спектре в виде плато шириной ΔE. Правый край плато соответствует ионам, упруго рассеянным от поверхности, левый край — ионам, рассеянным от атомов пленки на границе раздела пленка–подложка. Рассеяние от атомов подложки на границе раздела соответствует правому краю сигнала подложки.

Для исследования структуры монокристаллических образцов с помощью спектроскопии резерфордовского обратного рассеяния используется эффект каналирования. Эффект заключается в том, что при ориентации пучка ионов вдоль основных направлений симметрии монокристаллов те ионы, которые избежали прямого столкновения с атомами поверхности, могут проникать глубоко в кристалл на глубину до сотен нм, двигаясь по каналам, образованным рядами атомов. Сравнивая спектры, полученные при ориентации пучка ионов вдоль направлений каналирования и вдоль направлений, отличных от них, можно получить информацию о кристаллическом совершенстве исследуемого образца. Из анализавеличины так называемого поверхностного пика, являющегося следствием прямого столкновения ионов с атомами поверхности, можно получить информацию о структуре поверхности, например, о наличии на ней реконструкций, релаксаций и адсорбатов.

Иллюстрации

Схематическая диаграмма спектра ионов с массой m1 и первичной энерг
Схематическая диаграмма спектра ионов с массой m1 и первичной энергией E0, рассеянных от образца, состоящего из подложки из атомов с массой m2 и пленки из атомов с массой m3 толщиной d. Для простоты и пленка, и подложка считаются аморфными, чтобы избежать структурных эффектов [2].

Авторы

  • Зотов Андрей Вадимович
  • Саранин Александр Александрович

Источники

  1. Оура К., Лифшиц В. Г., Саранин А. А. и др. Введение в физику поверхности / Под ред. В. И. Сергиенко. — М.: Наука, 2006. — 490 с.
  2. Feldman L. C., Mayer J.W., Picraux S. T. Materials analysis by ion channeling: Submicron crystallography. — N.Y.: Acad. press, 1982. — 300 p.

Напишите нам