Микроскопия медленных электронов была изобретена Э. Бауэром (Ernst Bauer) в начале 1960-х гг. и стала достаточно широко использоваться в исследованиях поверхности, начиная с 1980-х гг. В микроскопе первичные электроны низких энергий (обычно до 100 эВ) попадают на исследуемую поверхность, а отраженные электроны используются для формирования фокусированного увеличенного изображения поверхности. Пространственное разрешение такого микроскопа составляет до десятков нанометров. Контраст изображения обусловлен вариацией отражательной способности поверхности по отношению к медленным электронам из-за различия в ориентации кристалла, поверхностной реконструкции, покрытия поверхности адсорбатом. Так как микроскопические изображения могут быть получены очень быстро, микроскопия медленных электронов часто используется для изучения динамических процессов на поверхности, таких, как рост тонких пленок, травление, адсорбция и фазовые переходы в реальном масштабе времени. В качестве примера на рис. показано микроскопическое изоб ражение поверхности Si(111) в ходе фазового перехода от реконструкции 7×7 к реконструкции 1×1, происходящего при температуре 860 ^оС.