химическое осаждение из газовой фазы иначе химическое осаждение из пара (англ. chemical vapour deposition или chemical vapor deposition сокр., CVD) — метод получения тонких пленок и порошков при помощи высокотемпературных реакций разложения и/или взаимодействия газообразных прекурсоров на подложке (получение пленок) или в объеме реактора (получение порошков).

Описание

Существует множество разновидностей этого метода, отличающихся способом инициации химических реакций и условиями процесса (давление, способ транспортировки паров в область подложки и т. д.). Как правило, в качестве прекурсоров используются соединения, имеющее достаточно высокое давление паров при невысоких температурах (100–400 ºC; хлориды металлов, металлоорганические комплексные соединения). Необходимым условием получения высококачественных пленок этим методом является высокая точность контроля скорости газовых потоков и интенсивности испарения прекурсоров.

Метод химического осаждения из газовой фазы позволяет получать покрытия различной структуры (монокристаллические, эпитаксиальные, аморфные, поликристаллические) на поверхностях сложной формы, в том числе с высокой степенью кривизны. Метод химического осаждения из газовой фазы в условиях объемной конденсации весьма эффективен при получении слабоагрегированных нанопорошков различных соединений.

Авторы

  • Журавлева Наталья Геннадиевна
  • Шляхтин Олег Александрович

Источники

  1. Chemical vapor deposition // Wikipedia, the free Encyclopedia. — http://thesaurus.rusnano.com/wiki/article1937en.wikipedia.org/wiki/Chemical_vapor_deposition (дата обращения: 02.08.2010).
  2. Pierson H.O. Handbook of Chemical Vapor Deposition (CVD): Principles, Technology and Applications. — N. J., 1992. P. 235.
  3. Fundamentals of Chemical Vapor Deposition. —www.timedomaincvd.com/CVD_Fundamentals/Fundamentals_of_CVD.html (дата обращения: 02.08.2010).

Напишите нам