Для того, чтобы быть сурфактантом, примесь должна удовлетворять следующим требованиям:

• стимулировать двумерный рост в условиях, когда обычно имеет место трехмерный рост;
• быть нерастворимой в пленке, для того, чтобы в объеме пленки оставалось ничтожно малое количество сурфактанта.

Второе требование может быть удовлетворено двумя способами. Во-первых, сурфактант может сегрегироваться на поверхности пленки за счет непрерывного обмена с адсорбированными на поверхности атомами растущей пленки.

Во-вторых, атомы сурфактанта могут остаться зафиксированными на границе раздела пленка/подложка под слоем пленки. Сурфактанты этого типа иногда бназывают интерфактантами.

Классический пример роста с сегрегирующим сурфактантом — это эпитаксия пленок Ge на Si(111) в присутствии сурфактанта Sb (см. рис.). Рост Ge на чистой поверхности Si(111)7×7 происходит по механизму Странского–Крастанова, при котором трехмерные островки формируются поверх псевдоморфного слоя Ge–Si с толщиной 3 монослоя (МС). При использовании ~1 МС Sb в качестве сурфактанта образование трехмерных островков подавлено, и послойным образом растет непрерывная пленка Ge. На поверхности пленки при этом наблюдается поверхностная реконструкция Ge(111)2×1–Sb c 1MC Sb.

Ни один из известных примеров действия сурфактантов на механизм роста тонких пленок не связан с классическим определением сурфактанта как вещества, понижающего свободную энергию поверхности (аналогично ПАВ). В действительности сурфактант влияет на рост пленки путем изменения кинетических параметров роста (например, влияя на подвижность адатомов на поверхности).