Описание
Важное значение для получения эпитаксиальных слоев высокого кристаллического совершенства имеют чистота поверхности подложки, скорость нанесения материала и температура процесса. Рост эпитаксиальных пленок может происходить из газовой, жидкой или твердой фазы, поэтому различают газофазную эпитаксию, жидкофазную эпитаксию, твердофазную эпитаксию и молекулярно-лучевую эпитаксию.
Монокристаллическая подложка задает параметры роста пленки, поэтому кристаллическая структура и ориентация эпитаксиальной пленки совпадает со структурой и ориентацией подложки. Это отличает эпитаксиальный рост от роста тонких пленок, когда наблюдается рост поликристаллических или аморфных пленок даже на монокристаллических подложках. Если состав пленки и подложки совпадают, процесс называют гомоэпитаксией, если нет, то гетероэпитаксией.
Эпитаксиальный рост широко используется в нанотехнологиях и производстве полупроводниковых приборов для создания слоев полупроводниковых материалов с высоким кристаллическим качеством, таких, как кремний, германий, нитрид галлия, арсенид галлия и фосфид индия.
Авторы
- Гусев Александр Иванович
- Саранин Александр Александрович
Источник
- Гусев А.И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. — М.: Физматлит, 2007. — 416 с.