Описание
МЛЭ — разновидность эпитаксии как одного из нанотехнологических методов получения полупроводниковых гетероструктур.
Каждый нагреватель установки МЛЭ содержит тигель, являющийся источником одного из компонентов пленки. Температура нагревателей определяется величиной давления паров испаряемых веществ, которое должно быть достаточным для формирования соответствующих молекулярных пучков. Испаряемое вещество переносится на подложку в условиях высокого вакуума. Нагреватели располагаются так, чтобы максимумы распределений интенсивности пучков пересекались в плоскости подложки. Подбор температуры нагревателей и подложки позволяет получать пленки сложного химического состава. Повышение температуры подложки до определенного предела обычно приводит к повышению качества эпитаксиальных слоев. Дополнительное управление процессом наращивания слоев осуществляется с помощью заслонок, расположенных между нагревателем и подложкой и позволяющих прерывать или возобновлять поступление любого из молекулярных пучков на подложку. Установки МЛЭ снабжены шлюзами для смены образцов м могут содержать оборудование для анализа пленок in situ методами дифракции отраженных электронов, масс-спектрометрии и оже-спектрометрии с возможностью исследования оже-спектров распыленных ионов. Метод МЛЭ с использованием масок позволяет выращивать на поверхности локальные структуры различного рельефа.
Иллюстрации
Автор
- Гусев Александр Иванович
Источник
- Гусев А.И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. — М.: Физматлит, 2007. — 416 с.